Название | Цена | |
---|---|---|
Gigabyte GP-GSTFS31100TNTD Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: TLC; Внешняя скорость записи: 500 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 271 ₽ | |
Corsair CSSD-F1000GBMP600PRO Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 8 341 ₽ | |
Samsung MZ1L2960HCJR-00A07 Тип: внутренний; Назначение: для сервера; Объем: 960 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Samsung Elpis; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 16 547 ₽ | |
Transcend TS240GESD240C Цвет: серебристый; Тип: внешний; Назначение: для ПК; Емкость: 240 ГБ; Форм-фактор: M.2; Разъем: USB 3.2 gen2USB C 3.2 gen2; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 537 ₽ | |
A-Data ASU650NS38-1TT-C Тип: внутренний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 510 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 550 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 9 736 ₽ | |
Apacer AP240GAS340XC Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 240 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 520 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 1 591 ₽ | |
Lexar LNS100-512RB Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость считывания: 550 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 2 724 ₽ | |
A-Data ALEG-700-256GCS Тип: внутренний; Объем: 256 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 1000 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 2 458 ₽ | |
A-Data ASU650NS38-480GT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 480 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 510 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 2 950 ₽ | |
Transcend TS250GSSD225S Тип: внутренний; Объем: 250 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 330 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 500 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 3 031 ₽ | |
Hikvision HS-ESSD-T100I-120G Цвет: черный; Тип: внешний; Назначение: для ПК; Емкость: 120 ГБ; Разъем: USB C 3.2 gen1; Внешняя скорость записи: 340 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 450 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 3 054 ₽ | |
Kingston SEDC450R, 3840G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 3800 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 525 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 31 480 ₽ | |
Transcend TS1TESD260C Тип: внешний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Разъем: USB C 3.2 gen2; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 460 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 520 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 8 712 ₽ | |
Kingston NV2 SNV2S, 4000G 4 ТБ Тип: внутренний; Объем: 4000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 2800 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 22 864 ₽ | |
Patriot PBE240GS25SSDR Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 240 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 320 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 1 521 ₽ | |
Kingston SA400M8, 120G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 120 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Контроллер: Phison PS3111-S11; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 1 603 ₽ | |
Team Group MP44L TM8FPK002T0C101 2 ТБ Тип: внутренний; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E21T; Тип памяти: 3D TLC NAND (176-Layer Micron); NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 10 760 ₽ | |
Transcend TS500GSSD225S Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 480 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 530 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 4 640 ₽ | |
A-Data AGAMMIXS5-1TT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.3) сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 10 908 ₽ | |
WD WDS480G3G0A Тип: внутренний; Объем: 480 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость считывания: 545 МБ/с; Наработка на отказ: 1 млн. ч сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 2 628 ₽ | |
Patriot P300P1TBM28 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 5 207 ₽ | |
Samsung MZ-V7S1T0BW Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Контроллер: Samsung Phoenix; Объем буфера обмена: 1024 МБ сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 9 407 ₽ | |
Silicon Power SP001TBSS3A56A25 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Phison; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 5 998 ₽ |