Название | Цена | |
---|---|---|
Kingston SNVS, 500G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 356 ₽ | |
Transcend TS250GESD270C Цвет: черный; Тип: внешний; Назначение: для ПК; Объем: 250 ГБ; Форм-фактор: 1.8"; Разъем: USB C 3.2 gen1; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 3 134 ₽ | |
A-Data AGAMMIXS5-256GT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 256 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.3) сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 3 683 ₽ | |
A-Data ASU650SS-240GT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 240 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 450 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 1 966 ₽ | |
Patriot Memory P310P480GM28 Тип: внутренний; Объем: 480 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 1500 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 3 011 ₽ | |
Kingston SA400S37, 120G Цвет: черный; Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 120 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Phison PS3111-S11 (может отличаться в зависимости партии) сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 2 505 ₽ | |
Silicon Power SP001TBSS3A55S25 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1024 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 150 ₽ | |
Samsung MZ-V8V1T0BW Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Samsung Pablo; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 9 099 ₽ | |
AMD R5MP240G8 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 240 ГБ; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 2 225 ₽ | |
WD WDS250G2B0B Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 250 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND (64-слойная); Внешняя скорость записи: 525 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 4 713 ₽ | |
A-Data AGAMMIXS5-1TT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.3) сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 10 908 ₽ | |
Gigabyte GP-ASM2NE6500GTTD Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x (PCI-Express 4.0); Контроллер: Phison PS5016-E16; Объем буфера обмена: 2000 МБ (DDR4) сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 7 377 ₽ | |
WD WDS100T2B0B Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND (64-слойная); Внешняя скорость записи: 530 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 484 ₽ | |
Intel SSDPEKNW512G8X1 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 512 ГБ; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263; Тип памяти: 3D QLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 762 ₽ | |
Kingston Fury SFYRSK, 1000G Тип: внутренний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E18; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 9 858 ₽ | |
Patriot Memory VPN110-512GM28H Тип: внутренний; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 2300 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 5 123 ₽ | |
Samsung MZ-77E500 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Samsung MKX; Объем буфера обмена: 512 МБ сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 5 560 ₽ | |
WD WDS200T3G0C Тип: внутренний; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D QLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 3000 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 11 354 ₽ | |
Kingston Fury SFYRS, 500G Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E18; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 6 967 ₽ | |
A-Data AGAMMIXS11P-2TT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2262EN; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 11 568 ₽ | |
Kingston SEDC500M, 480G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 480 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 520 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 9 132 ₽ | |
A-Data ASX6000PNP-2TT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Realtek RTS5763DL; Тип памяти: 3D TLC NAND (64-layer) сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 10 350 ₽ | |
Kingston SEDC500M, 3840G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 3840 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 520 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-V9P1T0CW | 24 526 ₽ |