Технические и функциональные характеристики, параметры и спецификации Samsung MZ-7TD120BW с подробным описанием. Например, размеры, вес, возможности и т.д.
Подобрать другой товар по характеристикам
Тип
Объем
Форм-фактор
Разъем
Тип памяти
Внешняя скорость записи
Внешняя скорость считывания
Наработка на отказ
Материал корпуса
Подобрать другой товар по характеристикам
| Название | Цена | |
|---|---|---|
| Seagate ZP2000CV3A001 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D QLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 11 354 ₽ |
| Toshiba KXG60ZNV512G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND (96-layer); NVMe: + сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 11 579 ₽ |
| Corsair CSSD-EX100U2TB Тип: внешний; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Разъем: USB C 3.2 gen2x2; Внешняя скорость записи: 1500 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 1600 МБ/с; Гарантия производителя: 3 года сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 19 520 ₽ |
| Transcend TS256GMTE110S Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 256 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 2 388 ₽ |
| Netac NT01N930E-512G-E4X Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 4 258 ₽ |
| Silicon Power PC60 SP010TBPSDPC60CK 1 ТБ Тип: внешний; Объем: 1000 ГБ; Разъем: USB C 3.2 gen2; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 500 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 540 МБ/с; Гарантия производителя: 3 года сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 7 142 ₽ |
| Corsair CSSD-F4000GBMP600PRO Тип: внутренний; Объем: 4000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison PS5018-E18; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 36 078 ₽ |
| Patriot P300P2TBM28 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 9 032 ₽ |
| Transcend TS1TESD380C Тип: внешний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: USB C 3.2 gen2; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 2000 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 2000 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 11 332 ₽ |
| Samsung MZ-V8P500BW Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Samsung Elpis; Объем буфера обмена: 512 МБ (DDR4) сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 9 501 ₽ |
| Patriot Memory VP4300 Lite VP4300L1TBM28H 1 ТБ Тип: внутренний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 6400 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 8 190 ₽ |
| Transcend ESD265C TS2TESD265C 2 ТБ Тип: внешний; Объем: 2000 ГБ; Разъем: USB C 3.2 gen2; Тип памяти: 3D NAND; Внешняя скорость записи: 950 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 1050 МБ/с; Гарантия производителя: 5 лет сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 25 662 ₽ |
| Hikvision HS-SSD-E100, 1024G Тип: внутренний; Объем: 1024 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 500 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 560 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 5 943 ₽ |
| WD WDS500G3X0E Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 4000 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 6 107 ₽ |
| Transcend TS1TSSD230S Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: SMI SM2258; Объем буфера обмена: 512 МБ (LDDR3-1600) сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 8 712 ₽ |
| Kingston SKC2500M8, 500G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: SMI 2262EN; Тип памяти: 3D TLC NAND (96-слойная 3D TLC) сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 8 360 ₽ |
| A-Data ASX8100NP-4TT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 4000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Realtek RTS5762; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 34 663 ₽ |
| WD WDS500G3B0A Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 510 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 560 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 4 877 ₽ |
| A-Data ASU650SS-480GT-C Цвет: черный; Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 480 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 3 157 ₽ |
| Colorful CN600 256GB Тип: внутренний; Объем: 256 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Realtek RTS5760; Тип памяти: 3D TLC NAND (64-слойная); NVMe: + сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 2 504 ₽ |
| Netac NT01N600S-001T-S3X Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 460 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 7 843 ₽ |
| Transcend TS2TMTE250S Тип: внутренний; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 6500 МБ/с сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 18 012 ₽ |
| HP P40 P40502-B21 480 ГБ DWPD 3.5 Тип: внутренний; Назначение: для сервера; Объем: 480 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D NAND; IOPS записи: 29 тыс сравнить с Samsung MZ-7TD120BW | 21 342 ₽ |
Статистика цен
Где, что и почём
Подробности
Характеристики и параметры
Отзывы и мнения
Комментарии пользователей
Обзоры
Интересно о товарах