Технические и функциональные характеристики, параметры и спецификации Samsung MZ-V9P2T0CW с подробным описанием. Например, размеры, вес, возможности и т.д.
Подобрать другой товар по характеристикам
Обсуждение Samsung MZ-V9P2T0CW
Тип
Объем
Форм-фактор
Интерфейс M.2
Буферная память
Тип памяти
NVMe
Внешняя скорость записи
Внешняя скорость считывания
Наработка на отказ
TBW
DWPD
Гарантия производителя
TRIM
Радиатор охлаждения M.2
Размеры
Подобрать другой товар по характеристикам
Обсуждение Samsung MZ-V9P2T0CW
Roberto
2023-05-04 11:15:00
➜ Kingston KC3000 vs Samsung 990 PRO (2TB)
Кто имел опыты с этими двумя ssd, как думаете, у кого кпд больше? Просто один стоит на amazon с доставкой на долларов так-то 30-40 дешевле, а в характеристиках разница мизерная. Также это касается нагрева с встроеным охлаждением в материнке, надёжности и разницы в скорости.
| Название | Цена | |
|---|---|---|
| Colorful CN300 128GB Тип: внутренний; Объем: 128 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D NAND; Внешняя скорость записи: 300 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 400 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 3 848 ₽ |
| Samsung MZ-76Q2T0 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 2000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Samsung MJX; Объем буфера обмена: 2000 МБ (LPDDR4) сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 18 409 ₽ |
| Netac NV7000 NT01NV7000-4T0-E4X 4 ТБ Тип: внутренний; Объем: 4000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 6850 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 24 740 ₽ |
| A-Data ASU630SS-960GQ-R Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 960 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D QLC NAND; Внешняя скорость записи: 450 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 5 943 ₽ |
| A-Data ASU650NS38-512GT-C Тип: внутренний; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 510 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 550 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 4 335 ₽ |
| Silicon Power SP02KGBP34UD8005 Тип: внутренний; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D QLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 3000 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 12 864 ₽ |
| Kingston SEDC1500M, 1920G Тип: внутренний; Назначение: для сервера; Объем: 1920 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: U.2 (NVMe Gen3 x4); Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 17 832 ₽ |
| Patriot Memory VPN110-512GM28H Тип: внутренний; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 2300 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 5 123 ₽ |
| Crucial CT500P3SSD8 Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 1900 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 4 098 ₽ |
| Apacer AP256GAS350XR Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 256 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 540 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 1 744 ₽ |
| HP 2LU80AA#ABB Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 4 303 ₽ |
| Transcend TS512GESD310C Тип: внешний; Объем: 512 ГБ; Разъем: USB C 3.2 gen2; Внешняя скорость записи: 950 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 1050 МБ/с; Гарантия производителя: 5 лет; Материал корпуса: металл сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 4 914 ₽ |
| Gigabyte G325E1TB Тип: внутренний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: +; Внешняя скорость записи: 1800 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 5 514 ₽ |
| Team Group MP44L TM8FPK500G0C101 500 ГБ Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E21T; Тип памяти: 3D TLC NAND (176-Layer Micron); NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 4 774 ₽ |
| Crucial CT1000BX500SSD1 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Silcon Motion SM2258XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 5 336 ₽ |
| Kingston SEDC450R, 480G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 480 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 510 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 6 910 ₽ |
| Kingston Fury SFYRSK, 1000G Тип: внутренний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E18; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 9 858 ₽ |
| Netac NT01SA500-960-S3X Тип: внутренний; Объем: 960 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 475 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 530 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 6 158 ₽ |
| Kingston SXS2000, 500G Цвет: серебристый; Тип: внешний; Объем: 500 ГБ; Разъем: USB C 3.2 gen2x2; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 2000 МБ/с; Внешняя скорость считывания: 2000 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 6 334 ₽ |
| MSI S78-440L930-P83 Тип: внутренний; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: PHISON E21T; Тип памяти: 3D NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 7 660 ₽ |
| Silicon Power SP002TBP34A80M28 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.3) сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 12 348 ₽ |
| Apacer AP128GAS350XR Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 128 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 540 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 1 271 ₽ |
| Team Group T253X6512G0C101 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 470 МБ/с сравнить с Samsung MZ-V9P2T0CW | 2 827 ₽ |
Статистика цен
Где, что и почём
Подробности
Характеристики и параметры
Отзывы и мнения
Комментарии пользователей
Обзоры
Интересно о товарах