Название | Цена | |
---|---|---|
A-Data ASX8100NP-4TT-C Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 4000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Realtek RTS5762; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 34 663 ₽ | |
Samsung MZ-77Q1T0 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Samsung MKX; Объем буфера обмена: 1000 МБ сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 8 876 ₽ | |
Gigabyte GP-GSTFS31256GTND Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 256 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: TLC; Внешняя скорость записи: 500 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 1 937 ₽ | |
Crucial CT240BX500SSD1 Цвет: черный; Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 240 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 3 052 ₽ | |
Transcend TS1TESD270C Цвет: черный; Тип: внешний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: 1.8"; Разъем: USB C 3.2 gen1; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 8 402 ₽ | |
Kingston SA400S37, 240G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 240 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Phison PS3111-S11 (может отличаться в зависимости партии); Тип памяти: TLC сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 2 267 ₽ | |
WD WDS100T2B0B Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND (64-слойная); Внешняя скорость записи: 530 МБ/сек сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 6 484 ₽ | |
Crucial CT500BX500SSD1 Тип: внутренний; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Silcon Motion SM2258XT; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 500 МБ/с сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 3 667 ₽ | |
Samsung 870 EVO MZ-77E250B, EU 250 ГБ EU Тип: внутренний; Объем: 250 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Samsung MKX; Буферная память: 512 МБ; Тип памяти: 3D TLC NAND (Samsung 128-слойная 256-Гбит 3D TLC V-NAND) сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 5 856 ₽ | |
Samsung MZ-V8P1T0BW Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Samsung Elpis; Объем буфера обмена: 1000 МБ (DDR4) сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 12 533 ₽ | |
Kingston Fury SFYRDK, 4000G Тип: внутренний; Объем: 4000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E18; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 44 274 ₽ | |
Samsung MZ-77Q4T0 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 4000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Samsung MKX; Объем буфера обмена: 4000 МБ сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 46 082 ₽ | |
Samsung MZ-V8P2T0CW Тип: внутренний; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Samsung Elpis; Буферная память: 2000 МБ (DDR4); Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 23 135 ₽ | |
Samsung MZ-77E2T0 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 2000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Samsung MKX; Объем буфера обмена: 2048 МБ сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 20 107 ₽ | |
Apacer AP128GAS350XR Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 128 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 540 МБ/с сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 1 271 ₽ | |
Transcend TS256GMTE110S Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 256 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 2 388 ₽ | |
Transcend TS500GMTE240S Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 500 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.4) сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 5 069 ₽ | |
A-Data ASU650SS-512GT-R Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 3 784 ₽ | |
AMD R5MP960G8 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 960 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 3.0 4x; Контроллер: Silicon Motion SM2263; Тип памяти: 3D TLC NAND сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 11 664 ₽ | |
Silicon Power SP002TBP34A80M28 Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Емкость: 2000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.3) сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 12 348 ₽ | |
Kingston SKC600MS, 512G Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 512 ГБ; Форм-фактор: mini-SATA; Контроллер: Silicon Motion SM2259; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 500 МБ/с сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 5 820 ₽ | |
Netac NT01N600S-001T-S3X Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: 2.5"; Разъем: SATA 3; Тип памяти: 3D TLC NAND; Внешняя скорость записи: 460 МБ/с сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 7 843 ₽ | |
Transcend TS1TMTE240S Тип: внутренний; Назначение: для ПК; Объем: 1000 ГБ; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Тип памяти: 3D TLC NAND; NVMe: + (1.4) сравнить с Samsung MZ-MTE250BW | 16 397 ₽ |